
IGBT是绝缘栅双极型晶体管,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管的特点,是一种功率半导体器件。IGBT在高压和高电流应用中具有较低的导通压降和较高的开关速度,适用于需要控制和调节大功率的电力电子系统中,主要用于交流驱动和功率控制领域,如变频器、电力转换器、电动车辆驱动系统、UPS等。IGBT下游应用领域中,新能源汽车、消费电子、工业控制是最主要的应用领域。
国内IGBT自供率较低,国产替代成为发展趋势。IGBT技术最早由海外厂商开发和商业化,经过几十年积累,部分海外厂商在IGBT方面技术取得了显著成就。从2019年全球市场来看,德国英飞凌市占率达35.6%,三菱、富士电机市占率分别为11.9%和10.5%。
IGBT技术高度专业化,对于投资和技术积累要求较高,国内IGBT行业发展较晚,受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。政策方面,《关于巩固回升向好趋势加力振作工业经济的通知》《关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见》《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》等产业政策为IGBT行业的发展提供了明确指导。根据中商产业研究院数据显示,2022年国内IGBT自给率达到26.5%,较2018年提升了12.4pct。