
2021年全球刻蚀设备市场呈现美国和日本垄断格局。泛林、东京电子和应用材料全球市占率分别为46%、29%、16%。中微公司和北方华创是主要的国产半导体刻蚀设备公司,分别在CCP和ICP占据领先地位,部分技术水平和应用领域已达国际同类产品标准,2021年全球市占率分别约2%。
新技术+结构复杂化,刻蚀设备市场规模不断扩大。新结构(如三维闪存、FinFET)、新材料(如高k介质/金属栅)、新工艺(如低k介质镶嵌式刻蚀技术和多次图形技术)对刻蚀参数的要求更精密,带来刻蚀设备价值提升。逻辑芯片从28nm缩小至7nm,刻蚀工艺步骤从50步增加至100步。先进芯片制程从7-5nm向3nm发展,光刻机受光波长受限,需要采用多重模板工艺,涉及更多次数刻蚀。3DNAND存储芯片堆叠层数从128层发展至256层,刻蚀需要在氧化硅和氮化硅叠层结构上加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极深的沟槽,带动刻蚀设备价值量提升。
据我们测算,2022年全球刻蚀设备市场规模约1600亿元(以美元:人民币=6.7:1)。中国大陆刻蚀设备市场规模约418亿元,其中ICP和CCP刻蚀分别约200亿元市场。