Sic晶体-衬底-外延-器件-模块-系统全产业链

外延晶体更优质可控，层厚越大，耐压越高。碳化硅晶体生长的过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，

导致质量和性能不足，而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。外延厚度越大（难度越大），能承受的电压越高，一般100V电压需要1μm厚度外延，600V需要6μm，1200-1700V需要10-15μm，15000V则需要上百微米（约150μm）。

SiC外延分为异质/同质两种类型

同质外延导电型15-30mΩ·cm6寸为主，

向8寸发展

碳化硅SiC低功率器件/射频

器件/光电器件

新能源汽车、归到交通

以及大功率输电变电

3.外延片

异质外延半绝缘

≥10^5Ω·cm

4寸为主，向6寸发展

氮化镓

GaN

高功率器件

（≥650V）

信息通讯、无线电探测

图：Sic晶体-衬底-外延-器件-模块-系统全产业链

外延

衬底

晶体

1.晶体

2.衬底片

3.外延

6.系统

数据来源：电子发烧友，东吴证券研究所

5.模块

4.器件 43

SiC外延需严格控制缺陷，工艺难度大。SiC外延会复制衬底的晶体结构，因此外延层缺陷包括来自衬底的缺陷（如微管、贯穿螺型位错TSD、贯穿刃型位错TED、基平面位错BPD），以及生长过程的位错以及宏观缺陷（如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷/彗星型缺陷、浅坑、生长的堆垛层错）。