存储产业链结构

存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，以晶圆的创新设计与制程提升聚焦于具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。而对于产品差异化较大需客制化的长尾细分行业市场（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户，则由独立的存储模组厂商进行开拓。

提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆叠层数是存储密度提升的主要方式。NANDFlash的进化过程中最重要的趋势就是每个单元拥有更高的密度，从Single Level Cell(SLC)对应1bit、Multi Level Cell(MLC)对应2bit、TripleLevelCell(TLC)对应3bit到QuadrupleLevelCell(QLC)对应4bit发展，存储密度得到提升。但由于在2D形式下，单位存储单元密度提升会带来擦写次数减少、可靠性降低和单元间干涉现象严重等问题，3D NAND技术应运而生。3D NAND大幅减少了单元（Cell）之间的干扰影响，提高了单元自身的特性，并持续提高积层单数就能够实现数据容量的扩大及成本节约，其读写速度、功耗、成本、耐久性、数据传输速度及容量等均展现出卓越的优势。