2020 年全球半绝缘型 SiC 衬底市场份额

国产SiC衬底与海外的差距逐步缩窄。目前全球的SiC衬底量产线主要尺寸为6英寸，而业内头部公司也在往8英寸产线发展。例如，Wolfspeed的第一条8英寸SiC产线将在2022年Q2开始生产，标志着全球第一条8英寸SiC产线的投产。目前国内的SiC衬底产线以4英寸为主，部分厂商也开始量产6英寸的衬底。以天岳先进为例，国内4英寸产线的量产时间较海外晚10年以上，但6英寸的量产时间差距缩小至7~10年，反映国产SiC衬底技术也在逐步提升。

全球SiC从6英寸往8英寸发展，有望带动芯片单价下降。正如硅片晶圆从8英寸往12英寸发展，目前SiC晶圆也正在从6英寸往8英寸发展。更大的晶圆尺寸可以带来单片芯片数量的提升、提高产出率，以及降低边缘芯片的比例，从而提升晶圆利用率。例如，Wolfspeed统计，6英寸SiC晶圆中边缘芯片占比有14%，而到8英寸中占比降低到7%。随着全球SiC晶圆的尺寸扩大，预计将带动SiC芯片单价降低，从而打开应用市场。

国产8英寸SiC衬底实现小批量生产。8英寸SiC晶体生长的难点在于：8英寸籽晶的研制、大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题、应力加大导致晶体开裂问题。由于这些问题所在，全球第一座8英寸SiC晶圆厂直到2022年4月才开始生产。不过，我国企业也在快速追赶中。烁科晶体宣布在2022年1月实现8英寸N型碳化硅衬底小批量生产；中国科学院物理研究所在2022年4月也宣布成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体。

国内6英寸SiC衬底预计仍有较大成长空间。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的预测，预计2020-2025年国内4英寸SiC晶圆市场逐步从10万片减少至5万片，6英寸晶圆将从8万片增长至20万片；2025-2030年，4英寸晶圆将逐步退出市场，6英寸增加至40万片。