碳化硅外延生长及下游应用

外延工艺是指在碳化硅衬底的表面上生长一层质量更高的单晶材料，如果在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延；如果在导电型碳化硅衬底表面生长一层碳化硅外延层，则称为同质外延。

碳化硅晶体生长的过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，导致衬底材料的质量和性能都不够好。而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。

例如衬底缺陷中的BPD（基平面位错）约95%转化为TED（贯穿刃型位错），而BPD可导致器件性能退化，TED基本不影响最终碳化硅器件的性能。