2020-2025年手机射频前端市场预测

移动终端射频芯片全球市场广阔。根据YoleDeveloppement数据显示，2019年全球移动终端射频前端市场规模为152亿美元，预计2025年有望达到254亿美元。

市场格局类似移动基站射频前端市场，主要被传统国际大厂垄断，国博电子终端射频模组投入市场后，有望受益移动终端射频芯片的国产替代发展机遇。

氮化镓（GaN）等三代半导体射频器件是5G移动通信重要元器件，在终端等领域应用广阔。氮化镓（GaN）具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2× 106V/cm ）及饱和速度大（2.7×107cm/s）等Si及GaAs不具备的特点，可以满足5G大带宽传输速率下对射频前端高频、效率的严格要求，目前在5G基站和终端中得到广泛应用。

公司GaN芯片及模块研发及产业化项目完成验收。2022年8月27日，国博电子宣布其承担的江苏省科技成果转化专项资金项目“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”顺利通过验收。开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成了输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应用。