全球半导体行业销售额及增速

MOCVD外延炉对电源温场控制能力要求极高。外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片上，气态物质In（铟）、Ga（钙）、Al（铝）、P（磷）有控制地输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前，LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法（Metal-Organic Chemical VaporDeposition，简称MOCVD）。半导体高端设备要求电源能够根据负载变化进行电流电压无扰切换，具备功率密度大、高稳定度、高控制精度、快速响应等特性，同时在1400℃的高温环境下温度控制精度要求误差达到1℃以内甚至更低。