
与全球功率半导体IDM为主的产能格局不同,我国特色工艺代工厂在政策及市场双重驱动下迅速成长。我们预计21-25年我国特色工艺代工产能增速将高于IDM产能增速,以华虹为代表的代工平台产能与工艺成熟度为国内领先,相应地头部设计公司产能相对充裕且工艺平台领先,与IDM差异化竞争尚不显著,短期受益。
22-25年全球MOSFET市场400V以上的高压器件占比增加,其中超结MOS占比为54.4%且增速最快。根据Omdia数据,22-25年全球MOSFET产品主流电压段为200V以下(25年占75.3%)及400V以上(25年占23.5%)。其中,技术壁垒较高的超结MOS作为400V以上的主要器件其市场将从10.5亿美元增至11.8亿美元。
目前超级结与超高压MOSFET国产化率较低,国产替代仍有较大空间。根据芯谋研究数据,21年中国MOSFET市场国产化率达到30.5%,然而超级结由于技术壁垒较高国产化率仅18.1%,超高压MOS国产化率为23.6%,均低于平均水平;因此,超级结MOSFET及超高压MOS仍为国内厂商未来发力的重要方向。