2021~2027年全球 SiC市场 CAGR 34%，亿美元

禁带宽度大——耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。

饱和电子漂移速率大——实现高频的性能：SiC的饱和电子漂移速率大约是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。

热导率高——散热好，更易小型化：SiC的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，SiC器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。

击穿电场强度大——耐高压：SiC击穿电场强度约是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。

2027年全球SiC市场规模预计62.97亿美元。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、新基建为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。据YOLE数据，2021年全球碳化硅功率半导体市场规模约为10.9亿美金，而到2027年全球碳化硅功率半导体市场规模将快速增至62.97亿美金，年均复合增长率约为34%。