2017-2021 年全球及中国功率半导体市场规模（亿美元）

无线功率器件包括硅双极型晶体管、LDMOS功率管和三代半导体GaN功率管等，是移动通信基站和移动终端的核心器件。随着4G/5G系统的发展,基站的数目也将急剧增加，LDMOS功率管和三代半导体GaN功率管将成为基站最具竞争力的先进器件。此外，随着北斗卫星的频繁发射，手持式、车载式、机载式、船载式、嵌入式等北斗导航系统终端应用越来越普及。每个终端要实现与空间卫星的通信，其发射通道的无线功率器件至关重要。

LDMOS占据传统主流，GaN在高频领域优势明显。目前，射频市场主要有3种技术：GaAs，LDMOS以及GaN工艺。从终端应用场景看：在高功率（25W+）+高频率（3GHz+）的工作环境中，GaN是唯一选择；在更高频率（30GHz+）的工作环境中，GaAs是唯一选择；

在低频率（3GHz-）的工作环境中，受益价格优势和高技术成熟度，LDMOS器件是更优选择。而在相对高频率（3-30GHz）的工作环境中，GaAs是目前更有性价比优势的选择，但GaN因其技术进步和应用范围的拓展，正不断缩小单瓦价差。在传统无线基础设施领域中LDMOS占据主导地位，但在高频领域GaN正快速崛起，GaN出货量已逐步超越LDMOS。