2021-2025 年中国基站年增量（万站）

22-25年全球充电桩年需求量将以33%复合增速加速渗透，超结MOSFET需求量大幅增加。根据英飞凌数据，50kW充电桩对应半导体价值量为100美元，其中PFC、DC-DC、AUX等部分均需要用到高压超结MOS。根据中国充电联盟数据，22年1-11月我国车桩比为2.6:1，我们预计到2027年车桩比有望达到2:1；随着全球新能源汽车加速渗透，我们预计22-25年全球充电桩年增量将由410万座/年增至1094万座/年，我国充电桩年增量将由250万座/年增至580万座/年。

5G带来功率半导体用量增加，基站、射频端、雾计算与云计算为主要驱动力。据前瞻产业研究院数据，预计2024年5G基站新建数量有望达到顶峰，预计达到265万站。随着5G渗透，据华为数据，4G基站到5G基站其所需功率由6.877kW增至11.577kW，且覆盖密度增加2倍以上，在功率提升且数量增加驱动下，MOSFET等功率器件用量增加。根据英飞凌数据，传统MIMO天线过渡为Massvie MIMO天线阵列后所需的MOSFET等功率半导体价值增加3倍至100美元。雾计算与云计算增加带来运算设备增加，MOSFET作为主要功率器件用量大幅提升。