
从碳化硅器件的制造成本结构来看,衬底成本最大,占比达47%;其次是外延成本,占比为23%。这两大工序是SiC器件的重要组成部分。
碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。在器件制备方面,由于材料的特殊性,器件过程的加工和硅不同的是,采用了高温的工艺,包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。
我国国家层面及地方层面均出台过许多第三代半导体的扶持政策,我国也涌现出一批碳化硅相应企业,衬底厂商包括天科合达、山东天岳等;外延厂商包括瀚天天成、东莞天域、中电科55所及13所等;器件制造厂商包括时代电气、泰科天润、绿能芯创、上海瞻芯、中电科55所及13所等。在这些产业链环节中,长飞先进半导体目前参与环节从外延材料、芯片制造到模块封测的全流程代工,可享受行业的快速成长,根据长飞收购启迪半导体时披露的收益预测表显示,2022年启迪半导体收入规模有望达到1.66亿元,2025年达到3.62亿元。