1H22 国内车载功率半导体市场份额

碳化硅渗透率抬升。碳化硅器件使用第三代半导体材料碳化硅作为衬底，与硅基器件相比，碳化硅为基底的功率半导体器件具有以下优势，1）宽禁带：禁带是硅的3倍，可转换为高10倍的击穿电场。2）高导热性：导热率是硅基底器件3倍。功率损耗产生的热量可以快速通过SiC传导。3）耐高温：200度以上高温环境下运行效率良好。相较于硅基器件，SiC MOSFET的整体功耗更小，结合本身高导热性与耐高温的特性，其对系统中整体的电池容量/冷却系统元器件需求量降低，进而减少系统成本。综合来看，碳化硅器件的应用可以有效提升新能源汽车的续航里程+百公里加速能力，可承载1200V以上电压，当前小范围应用于配套高压快充的B级及以上车型。