2021 年全球碳化硅功率器件市场规模为 11 亿美元

碳化硅基功率器件产业链主要包括上游碳化硅衬底制备、外延层生长、中游器件制造以及下游应用市场。衬底制备环节主要是将高纯碳粉和高纯硅粉合成为碳化硅粉，在特殊温场下，主要采用物理气相传输法（PVT法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道工序后产出碳化硅衬底。外延环节主要是在碳化硅衬底上，使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面形成外延片。其中，在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成功率器件，应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G通信等领域。