
因为集中式逆变器的功率大,所以一般采用IGBT模块完成逆变功能,但由于SiC模块可以提升整体效率,所以开始有厂商在集中式逆变器中使用全SiC的模块。
三相组串式逆变器:假设三相组串式逆变器在组串式中占比70%,而其中IGBT模块占80%,而IGBT单管占20%。三相组串式逆变器一般应用在功率偏大的场景下,所以预计其中IGBT模块占比要高于IGBT单管。
由于SiC二极管可以减少损耗,其在组串式逆变器中得到广泛应用,所以假设SiC二极管在三相组串式逆变器中有70%渗透率。
单相组串式逆变器功率较小,所以预计IGBT单管可以满足绝大部分需求,而超级结MOSFET在部分产品中也可以使用。
微型逆变器:假设都使用硅基MOSFET。微型逆变器功率要求偏低,预计超级结MOSFET可以满足应用需求。
储能预计配套光伏、风电而快速发展。目前全世界有许多国家都鼓励在光伏装机时配套一些储能装机,而我国也有多省出台文件要求光伏装机要配套10%的储能装机。在储能配套的要求以及储能自身成本下降的推动下,预计储能市场将快速发展。CNESA预计,乐观情况下,2025年中国新型储能累计装机预计达到56GW,而新增装机达到23GW,较目前装机量有大幅增长。另一方面,我们预计储能装机功率会与光伏装机功率分布相似,而根据IEA数据,2021年户用、工商业、电站光伏装机量分别占13%、17%、69%,所以我们预计储能变流器中小功率、中功率和大功率比例将与此类似。