
靶材制造所需工艺繁琐、技术难度较高。靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能、需求进行特有的工艺设计,然后再进行反复的塑性变形、热处理等,过程中需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标,再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。半导体用的超高纯溅射靶材过去被日矿、霍尼韦尔、东曹等公司垄断。
溅射靶材下游应用领域广泛 , 在半导体芯片 (10%)、 平面显示(34%)、信息存储(29%)、太阳能电池(21%)和智能玻璃(6%)等行业被广泛应用。
半导体领域用溅射靶材技术门槛最高。不同行业对靶材的纯度要求不同,半导体行业中靶材用于晶圆制造和芯片封装。溅射靶材用在晶圆制造的“金属化”过程中,主要用于制备导电层、阻挡层和接触层等,对靶材要求高纯度、高精度和高集成度。在封装中,溅射靶材用于键合线的镀层。