
2025年全球碳化硅衬底仍有218万片的缺口。Wolfspeed、Coherent和Rohm的衬底综合良率分别为70%/60%/60%左右,并预计在2023-2025年内维持该良率水平。目前国内碳化硅厂商的平均综合良率约为40%,随着衬底制备技术的逐渐成熟,市场预计2025年综合良率可以提升至50%。根据上述现有产能数据以及未来产能规划,我们预计全球碳化硅衬底有效产能将从2022年的65万片提升至2025年405万片,因此2025年将存在272万片的产能缺口。
碳化硅衬底的制备首先由高纯硅、碳粉在高温下合成SiC微粉后,通过物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加工得到标准直径尺寸的碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片。