2020~2025 我国国防用氮化镓射频器件市场规模

国防应用：国防应用是GaN射频器件市场的最重要驱动力量，据Yole数据，2020~2025年全球市场规模将以22％的CAGR从3.4亿美元增长至超过11.1亿美元。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。根据StrategyAnalytics统计，国防和航天应用中的雷达和电子战系统是射频氮化镓的最大应用市场。我国GaN微波射频器件在国防军事与航天应用市场已经100%实现国产化，此外，对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。

5G基站：5G基站建设是GaN射频器件市场的另一关键驱动力量，预计2020~2025年5G基站建设驱动全球GaN射频器件市场规模以15％的CAGR从3.7亿美元增长至超过7.3亿美元。

以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件以其良好导热性和大功率输出的优势，成为5G基站功率放大器的主流选择。5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。

预计2022年将迎来国内5G建设的高峰期，2023年后毫米波基站将有望大规模部署，拉动GaN微波射频器件市场规模成倍数增长。根据2020年12月的中国信通院ICT+深度观察报告会上的数据，彼时中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。根据Frost&Sullivan数据，预计2022年将迎来中国新建5G基站高峰，2022年新建5G基站数量预计达110万个，对应投资规模约为1500亿元，2022年后中国5G基站建设将逐步放缓。

但2023年开始，毫米波基站将有望开始大规模部署，成为拉动市场的主要力量，带动国内GaN微波射频器件市场规模成倍数增长。