全球 EV SJ MOS 市场规模预测

2）5G：基站数量激增叠加功率半导体单机价值量上升，5G打开超结MOSFET增量空间5G基站射频端功率半导体价值量约为4G的4倍。根据新PCB产业研究所调查，4G基站的分布密度更低，5G总体数量需求是4G的2-3倍，据前瞻产业研究院预测，2025年我国5G基站数量总量将达到472.5万个。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为Massvie MIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，为原来的4倍。此外，雾计算、云计算也助力拉高功率半导体需求量。

5G通讯电源打开超结增量空间，2025年全球5G通信基站SJ MOS市场规模近两亿。5G通讯电源需满足更大的输出功率和更高效率，而对于开关电源来说，输出功率的决定因素在于降低功率变换产生的损耗。与传统MOSFET相比，采用电荷平衡理论的超结MOSFET能够显著降低高电压下单位面积的导通电阻，进而降低导通损耗；同时，超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和驱动能量损耗。由此，超级结MOSFET未来有望在基站数量和单机价值量的“量价双击”下实现高速增长。根据基站电源拓扑结构，我们预计单基站使用18颗单价15.8元的SJMOS，结合2025E新增5G基站数51万个及96%的超结渗透率，我们预计2025年全球5G通信基站超结MOS市场规模有望达到1.99亿元，其中中国市场规模为1.40亿元。

我国新能源汽车销量增速有望持续高企，单车功率半导体用量是传统燃油车的5倍。据中国汽车工业协会统计，2021年国内新能源汽车销量实现爆发性增长，全年销售共计352万辆，同比增长157.48%。在“碳中和”、“碳达峰”目标下，我国新能源汽车市场高景气度有望持续。新能源汽车中的功率半导体含量大大增加，主要增量来源于逆变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中的IGBT分立器件、OBC中的超级结MOSFET。

据英飞凌数据显示，一辆电动车的MOSFET分立器件用量接近200个，部分高端新能源汽车车型对MOSFET的需求可达400个/辆以上。纯电动车功率半导体价值量为350美元，是传统燃油车单车价值量71美元的五倍。

新能源车中OBC、DC/DC均可采用超级结MOSFET，2025年全球EVSJ MOS的市场规模有望成长至34.65亿元。OBC是由PFC和隔离DC-DC组成的AC-DC转换器，通过将来自地面交流充电桩的交流电进行交直流转换和高低压变换，给车载电池充电。此外，DC/DC主要作用是取代传统汽车中的12V发电机，将动力电池的高压电转换为低压电，随后被低压蓄电池收集，该过程同样需要超结MOSFET的参与。根据Marketline的预测，2025年全球新能源汽车销量2121.7万辆，其中OBC、DC/DC分别搭载12颗/4颗超结MOSFET，结合17.6元/颗的单价及渗透率，我们预计2025年全球EVSJ MOS的市场规模有望达到34.7亿元，21-25年CAGR为30.8%，其中22-24年CAGR为37.8%；国内市场规模25年有望达到17.7亿元，占全球市场需求超过50%，21-25年CAGR为28.2%，其中22-24年CAGR为35.1%。