全球碳化硅器件市场规模预测

氮化镓用于生产射频、功率、光电器件，产业链与碳化硅类似。氮化镓器件所用衬底主要包括碳化硅衬底、硅衬底、蓝宝石衬底、氮化镓衬底。通过在碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得GaN-on-SiC外延片可制成射频器件，碳化硅基氮化镓射频器件具备更高效率、更大带宽、更高功率等优势，可更好的满足5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域对射频器件的高要求；通过在硅衬底上生长氮化镓外延层制得GaN-on-Si外延片可制成功率器件，硅基氮化镓功率器件具备高转换效率、低导通损耗、高工作效率等特点，可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透；通过在蓝宝石/氮化镓衬底上生长氮化镓外延层制得GaN-on-Sappire/GaN-on-GaN外延片可制成光电器件，氮化镓光电器件具备基带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度快等特性，在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。

2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元，预计到2025年有望增长至59.79亿美元，对应CAGR为38.2%。我们考虑SiC渗透率等假设，根据下游领域分别测算后加总。在碳中和趋势下，受益于SiC在新能源汽车、光伏、工控等领域的持续渗透，SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元，对应CAGR为67.6%；5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透，逐步取代硅基LDMOS，SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元，对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长，按照SiC材料在SiC器件中价值量占比50%计算（根据CASA），预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元，对应CAGR为38.2%。