全球碳化硅衬底市场规模（亿美元）

碳化硅外延设备是核心环节，未来市场年均增速超25%。与Si器件不同,SiC器件不能在晶圆上直接制作,而是需要在SiC晶圆上沉积生长外延膜,利用外延膜生产器件，所以SiC外延设备在产业链中处于承上启下的重要位置，因此价值量和利润空间较高，单台价格在千万左右。根据ASM估计，预计2021-2025年对SiC外延设备的需求将以超过25%的CAGR增长；据此测算，2025年全球市场规模将超过82亿元。

SiC衬底市场：海外厂商份额垄断，国产替代仍需突破。根据Yole数据，2021年，CREE（已更名为Wolfspeed）市占率高达62%，且2018-2020年均稳定在60%左右；

II-VI（已更名为Coherent）和SiCrystal（被Rohm收购）市占率分别为14%和13%，TOP5海外厂商占比为98%。SiC衬底产品的核心参数包括直径、电阻率范围、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等，参数的优化需要通过反复测试来实现。国产厂商在4英寸和6英寸产品上仍与海外厂商具有一定差距，需要时间追赶技术差距。