
SiC衬底材料受益于SiC、GaN器件需求景气。据Wolfspeed预计,2022年导电型SiC、半绝缘型SiC衬底材料市场合计约7亿美元。到2026年SiC衬底材料市场规模合计将达17亿美元,2022-2026年CAGR为24.8%。
GaN-on-SiC占比提升也将促进SiC衬底应用。GaN外延既可在Si衬底上生长,也可以在SiC衬底上生长。2020年,仅有不足1%的GaN射频器件采用SiC衬底,预计2026年这一比例将提升至7%左右。
SiC衬底片生产流程包含原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶体切割、晶片研磨、晶片抛光、晶片检测、晶片清洗环节。